ASML将来四代EUV光刻技术进展公布：顺向1nm迈入

日前，ASML商品销售总监Mike Lercel向新闻媒体共享了EUV（极紫外线）光刻技术的最新消息。

ASML如今主力出货的EUV光刻技术分别是NXE：3400B和3400C，他们的数值孔径（NA）均为0.33，日期更近的3400C现阶段的易用性早已做到90%上下。

预估今年底前，NXE：3600D将逐渐交货，30mJ/cm2下的圆晶扩散系数是160片，比3400C提升 了18%，设备配对套准精密度也提升了，它预估会是将来tsmc、三星3nm制造的关键借助。

在3600D以后，ASML整体规划的三代光刻技术分别是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，在其中从EXE：5000逐渐，数值孔径提升 到0.55，但要等候2022年晚些时候送货了。

因为光刻技术从送货到配备/学习培训进行必须长达2年時间，0.55NA的规模性运用要直到2025~2026年了，服务项目的应该是tsmc2nm乃至1nm等加工工艺。

0.55NA比0.33NA拥有过多优点，包含高些的饱和度、图型曝出更低的成本费、高些的生产率等。

自然，单晶硅片、曝出净化室靠近物理学極限，也是不可小觑的挑戰。现如今5nm/7nm光刻技术早已必须十万 零件、40个海运集装箱，而1nm时期光刻技术要比3nm还大一倍上下，显而易见了。